11:00-12:45

Сессия 1. Ведущий С. Ю. Савинов.

1.

11:00-11:15

Г.А. Месяц (ФИАН), Вступительное слово.

2.

11:15-11:45

А.И. Савватимский (ОИВТ РАН), Электрический взрыв проводников. Современное состояние исследований.

3.

11:45-12:15

С.А. Пикуз (ФИАН), Проекционная рентгенография и абсорбционная спектроскопия с использованием Х-пинча.

4.

12:15-12:45

А.А. Петров (ФИАН), Катодные процессы в отрицательном коронном разряде.

Обеденный перерыв (12:45-14:00)

14:00-16:00

Сессия 2. Ведущий В. С. Лебедев.

5.

14:00-14:30

А.И. Савватимский (ОИВТ РАН), Импульсный нагрев углерода.

6.

14:30-15:00

И.А. Моралёв(ОИВТ РАН), Диэлектрический барьерный разряд как инструмент для управления ламинарно-турбулентнымпереходом в пограничном слое. Влияние структуры разряда на гидродинамические возмущения.

7.

15:00-15:30

С. И. Ткаченко (МФТИ), Эволюция параметров материала трубки при пропускании субмикросекундных импульсов тока с линейной плотностью порядка 1МА/см.

8.

15:30-16:00

С.Н. Цхай (ФИАН), Измерениеэлектрических полей импульсных разрядов методами нелинейной оптики.

Перерыв (16:00-16:15)

16:15-17:45

Сессия 3. Ведущий С. А. Пикуз.

9.

16:15-16:45

А.Д. Кондорский (ФИАН), Взаимодействие ультракоротких лазерных импульсов с металлическим наноструктурами и наноантеннами.

10.

16:45-17:05

С. Ю. Савинов, Н.В. Пестовский (МФТИ), Сопоставление спектров и времен затухания катодо- и гамма-люминесценции.

11.

17:05-17:25

С.С. Гижа (МФТИ), Иттрий-албмоборатные стёкла, соактивированные ионами редких земель, как перспективный материал для регистрации рентгеновского излучения.

12.

17:25-17:45

М.М. Цвентух (ФИАН), Развитие модели взрывоэмиссионных ячеек катодного пятна вакуумного разряда.

10:30-12:45

Сессия 4. Ведущий Е. Е. Онищенко

1.

10:30-11:00

В.С. Кривобок¹, А.А. Пручкина¹, Н.А. Смирнова², А.Г. Белов² (ФИАН¹, Гиредмет²) Электронный спектр нететраэдрических акцепторов в компенсированном теллуриде кадмия.

2.

11:00-11:25

С.Н. Николаев¹, М.В. Шалеев² (ФИАН¹, ИФМ РАН²) Влияние гофрировки валентной зоны на дырочную плотность состояний и спектры излучения гетероструктур на основе германия и кремния

3.

11:25-11:50

А. А. Лясота^1,2, Н. Н. Сибельдин¹, М. Л. Скориков¹, E. Kapon², A Rudra² (ФИАН¹, Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne, Lausanne, Switzerland²) Накоплениезарядаисверхмедленнаякинетикавспектрахнизко-температурнойфотолюминесценцииквантовыхям GaAs/AlGaAs.

4.

11:50-12:15

В. В. Белых, М.В.Кочиев (ФИАН), Кинетика экситонов и биэкситонов  в квантовых ямах GaAs/AlGaAs при резонансном возбуждении.

5.

12:15-12:40

Э.Т. Давлетов¹, Д.Н. Лобанов² (МФТИ¹, ИФМ РАН²), Многочастичные состояния неравновесных электронно-дырочных систем на основе квантовых ям SiGe/Si.

Обеденный перерыв (12:40-14:00)

14:00-15:30

Сессия 5. Ведущий В. С. Кривобок

6.

14:00-14:30

А.В. Новиков (ИФМ РАН), Релаксация упругих напряжений в SiGe гетероструктурах, выращенных на различных подложках.

7.

14:30-15:00

А.Н. Яблонский (ИФМ РАН), Спектрокинетические исследования SiGe гетероструктур с квантовыми ямами и самоформирующимися наноостровками.

8.

15:00-15:30

Ю.Г. Садофьев¹, А.В. Клековкин¹, В.П. Мартовицкий¹, В.В. Сарайкин², И.С. Васильевский³. (ФИАН¹, НИИ физических проблем им. Ф.В. Лукина², МИФИ³), Исследование устойчивости метастабильных эпитаксиальных слоев GeSn к термическим воздействиям.

Перерыв (15:30-15:45)

15:45-15:30

Сессия 6. Ведущий С. Н. Николаев

9.

15:45-16:05

Д.Е. Свиридов (ФИАН), Исследование нелегированной гетероструктуры с квантовыми ямами Al_0.75Ga_0.25N/Al_0.95Ga_0.05N методом сканирующей микроскопии сопротивления растекания тока.

10.

16:05-16:25

А.И. Шарков¹, В.С.Кривобок¹, А.В. Новиков², Д.Ф. Аминев¹, А.Ю. Клоков¹ (ФИАН¹, ИРЭ РАН²), Неравновесный теплоперенос в объемных полупроводниках и полупроводниковых гетероструктурах.

11.

16:25-16:45

М.П.Теленков, Ю.А. Митягин (ФИАН), Инверсия населенностей и излучательные переходы терагерцового диапазона в резонансно-туннельных структурах из квантовых ям в квантующем магнитном поле

Стендовые доклады (14:00-17:45)

17:45-18:00

Закрытие конференции.

С1.

А.Д. Кондорский¹, К.С.Кислов², А.А. Нариц¹ (¹ФИАН, ²МФТИ), Генерация высоких гармоник при взаимодействии фемтосекундных лазерных импульсов с составной наноантенной.

С2.

С.А. Савинов¹, В.В. Капаев^1,2, В.Н. Мурзин¹, В.И. Егоркин² (ФИАН¹, МИЭТ²), Селективное детектирование и узкополосное усиление терагерцового излучения двухъямными резонансно-туннельными диодными наноструктурами.

С3.

В.И. Козловский¹, В.С. Кривобок¹, П.И. Кузнецов², С.Н. Николаев¹, А.А. Пручкина¹, С.И. Ченцов¹ (ФИАН¹, ИРЭ РАН²) Экситонное излучение тонких кристаллических пленок Zn(S)Se размещенных в полости микрорезонаторов на основе аморфных диэлектрических покрытий.

С4.

М. А. Акмаев¹, Т. М. Бурбаев², Д. С. Козырев², В. С. Кривобок², С. Н. Николаев² (МГУ¹, ФИАН²), Экситоны и электронно-дырочная жидкость в диполярной SiGe/Si гетеросистеме с квантовыми ямами для электронов и дырок.

С5.

М.В.Белодедов¹, Л.П. Ичкитидзе (НИУ МГТУ им. Баумана¹, НИУ МИЭТ²) Феноменологический расчёт ВТСП-изделий силовой электроники.

С6.

Тхе Нго Винь Доан, М.П.Теленков, Ю.А. Митягин (ФИАН), Межподзонное поглощение в квантовой яме в наклонном квантующем магнитном поле.

С7.

М.А. Чернопицкий, Н.А. Смирнова (МИФИ¹, Гиредмет²), Оптическая спектроскопия мелких примесных центров в нелегированных кристаллах CdZnTe.

С8.

М.П.Теленков, Ю.А. Митягин, В.В.Агафонов (ФИАН), Электрон-электронное рассеяние в системе уровней Ландау в квантовой яме.

С9.

Д.Ф. Аминев, Н.Н. Сибельдин, С.Н. Николаев (ФИАН), Гашение люминесценции квазидвумерной электронно-дырочной жидкости вызванное взаимодействием с неравновесными фононами.

С10.

С.А. Ноздрачев, Г.О. Рытиков (МГУП им. И. Фёдорова), Программный модуль для идентификации и спецификации субмикронных структур на поверхностях полимерных композитов.

С11.

Н.М. Ноздрачев, Д.М.Мельников, П.А. Прудковский (МГУП им. И. Фёдорова), Моделирование фазового перехода второго рода в модели Изинга методом Монте-Карло.

С12.

Н. В. Курочкин (МФТИ), Передача электронного возбуждения от органического слоя TPD квантовым точкам.

С13.

В.С. Седов¹, А.К. Мартьянов² (ИОФАН¹, МИРЭА²), Плазмохимический синтез алмаза в СВЧ плазме в смесях Метан/Водород/Силан.

С14.

А.А. Силина, Ю.Б. Андрусов, Н.А. Смирнова, И.А. Денисов (Гиредмет), Исследование процесса механической полировки подложек CdZnTe.

С15.

А.А. Силина, Ю.Б. Андрусов, Н.А. Смирнова, И.А. Денисов (Гиредмет), Легирование эпитаксиальных слоев CdHgTe сурьмой в процессе жидко фазной эпитаксии.

С16.

Б.И. Массалимов, А.В. Варлашкин (ФИАН), Путь к лазерной пучковой эпитаксии (LBE): магнитный подвес для скоростной фильтрации.

С17.

Б.И. Массалимов, А.В. Варлашкин (ФИАН), Осаждение MgO на наклонные подложки.

С18.

А.А. Родионов^1,2, А.В. Агафонов¹, А.В. Огинов¹, К.В. Шпаков¹, Многоканальная сцинтилляционная диагностика для измерения характеристик излучений протяженного атмосферного разряда.

С19.

В.В. Безотосный, М.В. Горбунков, А.Л. Коромыслов, М.С. Кривонос, Ю.А. Митягин, С.А. Савинов, В.Г. Тункин, Е.А. Чешев (ФИАН, МГУ), Генерация терагерцового излучения в нелинейном кристалле GaSe с помощью двухволнового лазера.