Зондовый микроскоп

Сканирующий зондовый микроскоп серии Solver P47 Pro

Краткое описание микроскопа

Сканирующий зондовый микроскоп серии Solver P47 Pro компании ЗАО «Нанотехнология МДТ» (Зеленоград) представляет собой устройство, позволяющее получать различную информацию о поверхности материалов с высоким разрешением на воздухе, в жидкости и контролируемой атмосфере. Работает в режимах атомно-силовой (АСМ) и туннельной микроскопии (СТМ). Возможно проведение зондовых нанолитографических операций, основанных на различных физических явлениях с перспективой использования в создании наноэлектронных элементов. Кроме информации о рельефе поверхности, АСМ позволяет получать данные о распределении локальных значений упругих, механических, электрических, и магнитных свойств, что является важным при работе с различающимися по химическому составу объектами.

Возможные методики измерения

  АСМ: Контактные методы/ Метод Постоянной Высоты, Метод Постоянной Силы, Метод Латеральных Сил, Отображение Сопротивления Растекания, Контактная Сканирующая Емкостная Микроскопия.

             Динамические контактные Методы/ Метод Модуляции Силы, Атомно-силовая Акустическая Микроскопия.

             Полуконтактные Методы (бесконтактные, прерывисто-контактные) / Метод Отображения Фазы, Полуконтактный Метод Рассогласования.

 Многопроходные методы/ Сканирующая Емкостная Микроскопия, Электрическая Силовая Микроскопия, Метод Зонда Кельвина, Магнитно-силовая Микроскопия.

  СТМ: Метод Постоянного Тока, Метод Постоянной Высоты, Отображение Работы Выхода, Отображение Плотности Состояний, I(z) спектроскопия, I(v) спектроскопия.

Технические характеристики

Диапазон сканирования мкм: 3x3x1,3, 10x10x2, 50x50x2.5

Минимальный шаг сканирования (ЦАП), нм:  0.0004

Размер образца в нормальных условиях максимальный, мм: 15x12x1.5

Вес образца, г:  не более 100

Нагревание образца:  до 130 ‘C

Фотографии, сделанные с помощью зондового микроскопа Solver P-47.

Рис. 1. Изображение скола лазерной структуры, содержащей 13 квантовых ям GaInP(6 нм)/AlGaInP(400 нм) между двумя брэговскими зеркалами AlAs/AlGaAs.

Рис. 2. Фрагмент брэгговского зеркала AlAs/AlGaAs

Рис. 3. Дефект на поверхности структуры ZnSe/ZnMgSSe, выращенной молекулярно-пучковой эпитаксией

Рис. 4. Дефект на поверхности эпитаксиального слоя ZnSSe, полученного методом парофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на подложке GaAs.