Главная - Оборудование - Нанотехнологическое - Установка PLD/MBE модель PVD-2300

Установка PLD/MBE модель PVD-2300

Установка PLD/MBE модель PVD-2300

Установка PLD/MBE 2300 предназначена для выращивания эпитаксиальных пленок, монослоных пленочных структур, и / или комбинаторных тонких пленок и может быть легко интегрирована с широким спектром других методов напыления, таких как магнетронное распыление, эффузионные ячейки, генераторы озона, и атомные или ионные источники. Эти уникальные системы позволяют пользователю использовать для роста уникальных пленочных структур несколько методов осаждения на небольшой площади.

Установка PLD/MBE модель PVD-2300

Источник излучение – эксимерный лазер KrF (245нм)

Частота импульсов   100Гц

Откачка камеры – безмасляная (турбонасос и спиральный насос)

Предельное остаточное давление в камере не более – 5·10-7Торр

Нагрев подложек до 850оС

Измерение температуры подложки  световодным оптическим пирометром

Однородность температуры по подложке  - 8С

Количество мишеней – 6 (2’’)

 

Полное наименование

Установка для лазерного импульсного напыления PLD/MBE модель PVD-2300 (США).

Сокращенное наименование

PVD-2300

виды деятельности, согласно классификатору

01.02.00.00.00

 

названия исследований, планируемых с использованием данной установки

Установка PLD/MBE 2300 используется для выращивания эпитаксиальных пленок и многослойных пленочных гетероструктур на основе высокотемпературных сверхпроводников и других квантовых материалов

Описание оборудования/установки:

а) Назначение

Установка PLD/MBE 2300 предназначена для выращивания эпитаксиальных пленок, многослойных пленочных гетероструктур и может быть легко интегрирована с другими методами напыления, такими как магнетронное распыление, эффузионные ячейки, и атомные /ионные источники. Установка позволяет использовать для роста пленочных структур различные методы осаждения в одном цикле осаждения.

б) Технические характеристики

Максимальный размер подложки: 2-дюйма
Максимальная температура подложки: 950°C (в кислороде) для Si, 850°C для прозрачных подложек (сапфир) в бесконтактном режиме.
Температурная однородность: ± 8 ° C на подложке диаметром 2 дюйма
Диапазон рабочего давления: от 5x10-9 Торр до 500 мТорр.
Количество и размер мишеней: Шесть (6) двухдюймовых

Расстояние мишень подложка: от 50 мм до 100 мм
Номинальный угол падения лазерного луча на цель: 60o
Лазер: эксимерный (KrF) с длиной волны 248 нм

в) Основные направления исследований, проводимых с использованием оборудования/установки

Выращивание тонких ВТСП пленок и различных структур на их основе.

г) Фотографии оборудования/установки

Рисунок 1

Рисунок 2

 

Рисунок 3

Перекрестные ссылки на методики исследований.

stacks.iop.org/JPhysD/47/034005/mmedia

http://dx.doi.org/10.1155/2013/603648

МЕНЮ САЙТА