Оптические свойства полупроводниковых наноструктур

Оптические свойства полупроводниковых наноструктур

• Студенты III-V курсов.
• 2 чел./неделю.
• Электронные свойства новых структур квантовых ям (КЯ) определяются квантово-размерными эффектами и могут варьироваться в широких пределах за счет изменения толщин КЯ. В этой связи особую актуальность приобретают методы оптической спектроскопии и, в частности, фотолюминесценции, позволяющей контролировать толщины КЯ с точностью до монослоя (2,83 Е в случае структур GaAs/AlGaAs), состав барьеров (для сложных полупроводников), а следовательно и их высоту, а также качество выращенных структур. Последнее в значительной степени определяется шероховатостями границ раздела слоев, вносящими заметный вклад в механизмы рассеяния носителей заряда, от которых зависят электрические и, в конечном счете, приборные характеристики структур. В работе на примере структур одиночных КЯ GaAs/AlGaAs продемонстрированы возможности спектроскопии фотолюминесценции для тестирования квантово-размерных структур. Студенты получат представление о проявлении макро- и микрошероховатостей границ раздела в спектрах фотолюминесценции структур КЯ, а также приобретут навыки определения ширин КЯ и состава барьерных слоев из оптических спектров.
• В работе используются двойной монохроматор ДФС-24, лазер на смеси аргона и криптона модели ILM-120 фирмы 'Carl Ceiss Jena', счетчик- спектрометр фирмы 'Otto Shoen' и азотный криостат для оптических измерений.
• Обработка результатов измерений производится на компьютере.
• Руководитель: Ю.А.Алещенко. Контактный телефон: 132-6293, e-mail: yuriale@sci.lebedev.ru.