Объединенный практикум УНК
Лабораторные работы практикумов
ОГЛАВЛЕНИЕ
Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (физический факультет)
Кафедра квантовой радиофизики
Кафедра общей физики и волновых процессов
Кафедра оптики и спектроскопии
Московский физико-технический институт, кафедра квантовой радиофизики
Физический институт Академии Наук
Московский инженерно-физический институт
Московский институт электронной техники
Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (физический факультет
- Спонтанное параметрическое рассеяние света
- Управляемые классические корреляции типа Эйнштейна-Подольского-Розена
Кафедра общей физики и волновых процессов
- Кинетика излучения лазера на гранате с неодимом
- Генерация и техника измерения ультракоротких световых импульсов
- Генерация оптических гармоник
- Параметрический генератор света
- КАРС-спектрометр
- Модуляция оптического излучения
- Голография
Кафедра оптики и спектроскопии
Практикум по спектроскопии
- Призменный спектрограф
- Сверхтонкая и изотопическая структукра спектральной линии ртути 546,1 нм
- Дифракционный спектрограф СТЭ-1
- Спектральные характеристики диэлектрических зеркал и интерференционных светофильтров
- Качественный анализ по спектрам комбинационного рассеяния света
- Инфракрасные спектры поглощения молекул
- Определение момента инерции и межядерного расстояния молекулы циана
Лазерный Практикум
- Гелий-неоновый лазер
- Генерационные свойства активного стекловолокна
- Спектральные и временные характеристики вынужденного излучения
Практикум по нелинейной оптике
Московский физико-технический институт, кафедра квантовой радиофизики
- Инверсионное расщепление в колебательно-вращательном спектре молекулы
- Модуляция света
- Эллипсометрия
- Изучение работы полупроводникового лазера
- Оптический квантовый генератор на рубине
- Изучение свойств световодов
- Изучение работы полупроводникового лазера
- Эффект Зеемана на рабочем переходе в гелий-неоновом лазере
- Изучение характеристик фотоумножителей
- Комбинационное рассеяние света
- Перестраиваемый лазер на красителе
- Изучение сверхтонкой структуры спектральных линий
- Измерение абсолютного квантового выхода люминесценции
- Генерация второй гармоники в нелинейном кристалле
Физический институт Академии Наук
- Квантовый эффект Холла и осцилляции Шубникова-де Гааза
- Определение параметров полупроводниковых материалов рентгенооптическим методом
- Технология изготовления ВТСП пленок для сверхпроводниковых квантовых магнитометров (СКВИДов), и методы высокочувствительных электрофизических измерений с использованием СКВИДов
- Выращивание слоев GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Генерация микроволнового излучения в квантово-размерных диодных резонансно-туннельных структурах
- Выращивание гетероструктур и сверхрешеток на основе кремния, германия и их твердых растворов методом молекулярно-лучевой эпитаксии на установке "Катунь"
- Исследование оптических свойств квантовых точек на основе соединений CdTe/ZnTe
- Методы диагностики технологии получения гетероструктур эпитаксией из молекулярных пучков
- Изготовление гетероструктур с квантовыми ямами методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Поперечный транспорт в полупроводниковых сверхрешетках. Резонансное туннелирование. Токовые неустойчивости и домены электрического поля. Эффекты мультистабильности
- Исследование параметров структур с квантовыми ямами вольт фарадным методом
- Измерение фотолюминесценции германия и кремния
- Лазерное осаждение слоистых наноструктур на основе высокотемпературных сверхпроводников с применением скоростной фильтрации
- Оптические свойства полупроводниковых наноструктур
- Численное моделирование электронных свойств квантово-размерных структур с использованием метода огибающей волновой функции
Московский инженерно-физический институт
- Твердотельный лазер на неодимовом стекле
- Газовый лазер на смеси гелия и неона
- Полупроводниковый лазер на арсениде галлия
- Запись и восстановление голограмм в пучках с плоским фронтом
- Сканирующий интерферометр
- Голографическое исследование оптических неоднородностей
- Эффект Фарадея в магнитных пленках
Московский институт электронной техники
- Определение профиля концентрации носителей заряда в гетероструктурах с квантовыми ямами с помощью метода вольт-фарадных характеристик
- Изучение принципа действия и измерение параметров сверхпроводникового магниточувствительного элемента
- Исследование акустического переноса заряда в гетероструктурах на основе GaAs/AlGaAs.
- Туннельная микроскопия
- Изучение электрических шумов в полупроводниковых гетероструктурах
- Принцип работы современного растрового электронного микроскопа и его использование для исследования объектов микроэлектроники
- Устройство и принцип работы современного просвечивающего микроскопа
- Изготовление омических контактов к приборам на основе гетероструктур
- Формирование контактов с барьером Шоттки при изготовлении приборов на основе гетероструктур. Измерение вольт-амперных характеристик
- Исследование вольт-амперных характеристик транзисторов на гетероструктурах с квантовыми ямами. Определение крутизны, порогового напряжения, тока насыщения,напряжения насыщения
- Исследование ВАХ туннельно-резонансных диодов
- Изучение работы сверхпроводникового болометра ИК-диапазона
Описание каждой лабораторной работы содержит следующие пункты:
- Название задачи.
- Год обучения (курс) студентов, которым задача рекомендуется.
- Пропускная способность задачи.
- Физическая проблема, которой посвящена задача. Краткое описание задачи.
- Основное оборудование.
- Степень автоматизации и компьютеризации установки.
- Ответственный за задачу (контактный телефон).
Для всех представленных задач практикумов
имеется подробное описание работы,
включающее теоретическую часть и указания по
выполнению экспериментов.