Исследование параметров структур с квантовыми ямами вольт фарадным мет

Исследование параметров структур с квантовыми ямами вольт фарадным методом

• Студенты IV-V курсов.
• 2 чел./неделю.
• Дальнейший прогресс в микроэлектронике может быть связан с созданием принципиально новой электронной базы, разработанной с привлечением более фундаментальных физических подходов и новейших технологических процессов, например, на основе квантово-размерных систем на базе элементарных полупроводников и их соединений. В этой связи актуальной является задача контроля параметров квантово- размерных структур. Для контроля параметров квантово-размерных структур ( положение квантовых ям в структуре, потенциальная глубина квантовой ямы, концентрация носителей заряда в яме) широко используются емкостная спектроскопия . Данная работа призвана ознакомить студентов с методом измерения параметров квантово размерных структур с помощью емкостной спектроскопии.
• Установка емкостной спектроскопии.
• Установка автоматизирована с использованием IBM PC.
• Руководитель: Болтаев Анатолий Петрович, т. 132-62-61, e-mail: burbaev@sci.lebedev.ru