Изготовление гетероструктур с квантовыми ямами методом молекулярно-луч

Изготовление гетероструктур с квантовыми ямами методом молекулярно-лучевой эпитаксии

• Студенты III-V курсов.
• 4 человека в неделю.
• В работе изучается сущность технологии молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), представляющей собой процесс эпитаксиального наращивания полупроводниковых пленок в сверхвысоком вакууме за счет реакций между термически создаваемыми молекулярными пучками составляющих вещество компонентов и поверхностью подложки, находящейся при повышенной температуре. Для МЛЭ характерен ряд специфических особенностей, обусловливающих возможность формирования сверхрезких границ раздела слоев различного состава или уровня легирования и ультратонких (единицы нанометров) слоев. Это обеспечивается за счет проведения ростового процесса в сверхвысоком вакууме, испарения всех компонентов полупроводникового материала и легирующих примесей из индивидуальных молекулярных источников, возможности резкого прерывания тех или иных молекулярных пучков с помощью заслонок, проведения эпитаксиального процесса при пониженных температурах, поддержания атомарно-слоевого режима роста слоев. Указанные особенности молекулярно-лучевой эпитаксии позволяют применять данный метод для выращивания низкоразмерных гетероструктур (единичные и множественные квантовые ямы и сверхрешетки, квантовые нити и точки), предназначенных для исследования особенностей протекания физических явлений в таких структурах и создания полупроводниковых приборов, основанных на новых физических принципах. В работе проводится выращивание квантовой ямы из арсенида галлия с использованием барьерных слоев состава А1хGa1-xAs.
• Работа выполняется на установке молекулярно-лучевой эпитаксии "Цна-18", имеющей предельное давление остаточных газов 1х10-8 Па, снабженной шестью молекулярными источниками и шлюзовым загрузочным устройством, позволяющим проводить замену выращиваемых образцов без разгерметизации ростовой камеры.
• Управление режимами эпитаксиального роста (температуры молекулярных источников, положение заслонок) выполняется с помощью персонального компьютера.
• Руководитель: Садофьев Ю.Г., контактные телефоны; 132-66-86, 532- 99-89. Е-mail: sadofyev@sci.lebedev.ru