Структура научно-образовательных центров УНК
Структура научно-образовательных центров УНК
В состав УНК входят 9 Научно-Образовательных Центров, созданных ФИАН совместно с ВУЗами на основе базовых кафедр и факультетов. Ниже приводятся основные сведения о них.
Научно-образовательный центр «Квантовая радиофизика и электрофизика» (2 кафедры, 4 лаборатории) Место нахождения: МФТИ |
|
Данные по учреждению РАН: Научн. рук.: Г. А. Месяц, академик, д.ф.-м.н. Директор: В. С. Лебедев, д.ф.-м.н. Кол-во привлеченных научных сотрудников: 19 Кол-во членов РАН (ак., чл.-корр.РАН): 1 Кол-во студентов, проходящих обучение 98 |
Данные по Вузу-партнеру: Вуз: МФТИ Кафедра квантовой радиофизики Кафедра электрофизики Лаборатория Поляризационная квантовая оптика Лаборатория Взаимодействие излучения с веществом Лаборатория Физика и технологии импульсной энергетики Лаборатория Оптика и спектроскопия наноразмерных систем Кол-во привлеченных преподавателей: 5 |
Направление подготовки: 511600 «Прикладные математика и физика», 511617 — Квантовая радиофизика, 511600 Прикладные математика и физика, магистерская программа «Электрофизика» 511676 Квалификация специалиста: инженер-физик Срок обучения: 1–6 курсы Правовой статус: приказ директора ФИАН № 42 от 31.05.05 г. Учебные программы по спецкурсам (1-3 стр.), утвержденные руководством Вуза:
|
Научно-образовательный центр «Квантовые приборы и нанотехнологии» Место нахождения: МИЭТ |
|
Данные по учреждению РАН: Ф.И.О руководителя, ученая степень: Ю. В. Копаев, д.ф.-м.н., академик Кол-во привлеченных научных сотрудников: 1 Кол-во членов РАН (ак., чл.-корр.РАН): 2 Кол-во студентов, проходящих обучение 107 |
Данные по Вузу-партнеру: Вуз: МИЭТ Кафедра квантовой физики и наноэлектроники Кол-во привлеченных преподавателей: 18 |
Направление подготовки 010803 «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы», квалификация — физик—микроэлектронщик; Направление 210100 «Электроника и микро-электроника», степень — бакалавр техники и технологии; Направление 210100 «Электроника и микроэлектроника» магистерская программа «Микро и наноэлектроника», степень — магистр техники и технологии; Направление 210600 «Нанотехнология» специальность 210601 «Нанотехнология в электронике» Квалификация специалиста: инженер Срок обучения: 1–6 курсы Правовой статус Учредительный договор между МИЭТ и ФИАН, регистрация 04.06.1999 Учебные программы по спецкурсам (1-3 стр.), утвержденные руководством Вуза:
|
Самарский научно-образовательный центр по оптике и лазерной физике Место нахождения: СФ ФИАН | |
Данные по учреждению РАН: Ф.И.О руководителя, ученая степень: Петров Алексей Леонтьевич, к.ф.-м.н. Кол-во привлеченных научных сотрудников: 9 (2007), 7 (2008) 7 (2009) Кол-во студентов, проходящих обучение: 29(2007), 25(2008), 28(2009) |
Данные по Вузу-партнеру: Самарский государственный университет Факультет физический Кафедра оптики и спектроскопии Кафедра общей и теоретической физики Кафедра физики твердого тела и неравновесных систем Кол-во привлеченных преподавателей: 15 |
Направление подготовки: 010701. Физика. Квалификация специалиста: физик. Срок обучения: 3, 4 и 5 курсы. Правовой статус Самарского научно-образовательного центра по оптике и лазерной физике: Решение-приказ Президиума Академии наук СССР и Министерства высшего и среднего специального образования РСФСР № 333-1 от 1.07.89, Решение-приказ Самарского государственного университета и Самарского филила ФИАН № 1 от 10.12.1997 года, приказ Государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования «Самарский государственный университет» 546-01-6 от 15.08.2009 г и Самарского филиала Учреждения Российской академии наук Физического институа им. П. Н. Лебедева РАН №. № 32/05.10.09 от 15.08.2009 Учебные программы по спецкурсам
|
Научно-образовательный центр Фундаментальные частицы и астрофизика Место нахождения: МФТИ |
|
Данные по учреждению РАН: Ф.И.О руководителя: академик А. В. Гуревич Кол-во привлеченных научных сотрудников: 11 Кол-во членов РАН (ак., чл.-корр.РАН): 2 Кол-во студентов, проходящих обучение: 10 |
Данные по Вузу-партнеру: Вуз МФТИ Факультет Общей и Прикладной Физики Кафедра Проблемы физики и астрофизики Кол-во привлеченных преподавателей 7 |
Направление подготовки 010613. Проблемы теоретической физики (астрофизика)
ПРОГРАММА по курсу «ОБЩАЯ АСТРОФИЗИКА» Лекции — 34 часа Семинарские занятия — 34 часа Лабораторных занятий — нет Всего часов — 68 Программу составил — доктор физ.-мат.наук, ведущий научный сотрудник, профессор Бескин В.С.
ПРОГРАММА по курсу «ФИЗИКА КОНДЕНСИРОВАННОГО СОСТОЯНИЯ», Лекции — 32 часа Семинарские занятия — 32 часа Лабораторных занятий — нет Всего часов — 64 Программу составил — кандидат физ.-мат.наук, старший научный сотрудник ассистент Апенко С.М.
ПРОГРАММА по курсу «Гравитация и Астрофизика» Лекции — 17 часов Семинарские занятия — 17 часов Лабораторных занятий — нет Всего часов — 34 Программу составил — доктор физ.-мат.наук, ведущий научный сотрудник, профессор Бескин В. С.
ПРОГРАММА по курсу «ВВЕДЕНИЕ В КОСМОЛОГИЮ», Лекции — 16 часа Семинарские занятия — 16 часа Лабораторных занятий — нет Всего часов — 32 Программу составил — доктор физ.-мат.наук, ведущий научный сотрудник, профессор Лукаш В. Н.
ПРОГРАММА по курсу «ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ КОСМОЛОГИИ», Лекции — 66 часа Семинарские занятия — 66 часа Лабораторных занятий — нет Всего часов — 132 Программу составил — доктор физ.-мат.наук, ведущий научный сотрудник, профессор Лукаш В. Н.
ПРОГРАММА по курсу «ФИЗИЧЕСКАЯ КИНЕТИКА часть II», Лекции — 34 часа Семинарские занятия — 34 часа Лабораторных занятий — нет Всего часов — 68 Программу составил — доктор физ.-мат.наук, ведущий научный сотрудник, профессор Истомин Я. Н.
ПРОГРАММА по курсу «КИНЕТИКА КОСМИЧЕСКИХ ЛУЧЕЙ», Лекции — 32 часа Семинарские занятия — 32 часа Лабораторных занятий — нет Всего часов — 64 Программу составил — доктор физ.-мат.наук, главный научный сотрудник, профессор Догель В. А.
|
Научно-образовательный центр Технологии космического приборостроения Место нахождения: ФИАН |
|
Данные по учреждению РАН: Ф.И.О руководителя: д.ф.-м.н., ак. Н. С. Кардашев Кол-во привлеченных научных сотрудников: 2009: 38, 2010: 42 Кол-во членов РАН (ак., чл.-корр.РАН): 1 ак., 1 чл.-корр. РАН Кол-во студентов, проходящих обучение: 2009: 14, 2010: 20 |
Данные по Вузу-партнеру: Вуз ГОУ ВПО «Московский педагогический государственный университет» Факультет физики и информационных технологий Кафедра общей и экспериментальной физики Кол-во привлеченных преподавателей 8 |
Направление подготовки 050400, физика Квалификация специалиста магистр физики Срок обучения 5-6 курс Правовой статус Соглашение о создании Научно-образовательного центра от 01.03.2009, срок действия 01.03.2011, приказ о создании НОЦ № 10 от 08.02.2010. Физика сенсорных материалов и устройств Содержание курса Основные определения: датчики, сигналы, системы. Классификация датчиков. ЭВМ и сенсорика. Основные явления, лежащие в основе преобразования. Направление развития сенсорики. Комбинирование, интеллектуальные датчики. Характеристики датчиков. Передаточная функция. Диапазон измеряемых значений. Диапазон выходных значений. Точность. Калибровка. Гистерезис. Нелинейность. Насыщение. Воспроизводимость. Мертвая зона. Разрешающая способность. Специальные характеристики: выходной импеданс, сигнал возбуждения, динамические характеристики. Надежность. Характеристики датчиков, обусловленные условиями применения. Физические явления, являющиеся основой работы датчиков. Электромагнетизм. Пьезоэлектрический эффект. Пироэлектрический эффект. Эффект Холла. Эффекты Зеебека и Пельтье. Механические колебания. Тепловые свойства материалов. Теплопередача. Оптическое излучение. Оптические компоненты датчиков. Радиометрия. Фотометрия. Светопропускающие окна. Зеркала. Линзы. Оптические волокна и волноводы. Концентраторы. Поглощающие покрытия. Электрооптические и акустооптические модуляторы. Интерферометрическая оптоволоконная модуляция. Интерфейсные электронные схемы. Усилители: Операционные усилители. Повторители напряжения. Измерительный усилитель. Схемы возбуждения: генераторы тока. Источники напряжения. Генераторы. Задающие устройства. Аналого-цифровые преобразователи (АЦП), принципы построения. Обработка сигналов. Мостовые схемы. Передача данных. Шумы в датчиках и интерфейсных схемах. Гальванические источники питания. Детекторы присутствия и движения объектов. Ультразвуковые датчики присутствия. Емкостные датчики присутствия. Микроволновые датчики движения. Электростатические датчики движения. Оптоэлектронные детекторы движения. Детекторы положения, перемещений и уровня. Потенциометрические, гравитационные и емкостные датчики. Индуктивные и магнитные датчики. Оптические датчики. Ультразвуковые датчики. Радары. Датчики толщины и уровня. Датчики скорости и ускорения. Акселерометры. Гироскопы. Датчики силы, механического напряжения и прикосновения. Тензодатчики. Тактильные сенсоры. Пьезоэлектрические датчики силы. Датчики давления. Ртутные датчики. Сильфоны, мембраны и тонкие пластины. Пьезорезистивные датчики. Емкостные датчики. Датчики переменного магнитного сопротивления. Оптоэлектронные датчики. Вакуумные датчики. Акустические датчики. Микрофоны: резистивные, электростатические, оптоволоконные, пьезоэлектричесие, электретные. Твердотельные акустические детекторы. Датчики влажности. Емкостные резистивные, термисторные датчики. Оптический и вибрационный гигрометры. Оптические детекторы. Полупроводниковые детекторы: фоторезистор, фотодиод, фототранзистор. Охлаждаемые детекторы. Детекторы ИК-диапазона. Детекторы ионизирующего излучения. Сцинтилляционные детекторы, ионизационные детекторы. Датчики температуры. Терморезистивные датчики. Термоэлектрические датчики. Полупроводниковые датчики на основе p-n перехода. Оптические и акустические датчики. Пьезоэлектрические датчики. Химические датчики. Характеристики и проблемы химических датчиков. Датчики прямого действия: металл-оксидные, химические полевые транзисторы, электрохимические, потенциометрические, каталитические детекторы газов, эластомерные химические резисторы. Составные датчики: тепловые, оптические химические, каталитические, биохимические, энзимные. Химические датчики в составе аналитических приборов: хемометрия, датчики обоняния, интеллектуальные химические датчики. Материалы датчиков и технологии изготовления. Материалы. Поверхностные технологии. Нано-технологии. Лекционных часов 72 Чулкова Галина Меркурьевна, к.ф.-м.н. Введение в современную физику Содержание курса Сверхпроводимость: введение, обзор основных физических законов Слаботочная сверхпроводимость: основные устройства, физические принципы их работы Сверхпроводниковые болометры и однофотонные детекторы: основые типы (TES, HEB, SSPD), физические принципы, основные характеристики. Применение сверхпроводниковых болометров и однофотонных детекторов: радиоастрономия, тепловидение, исследование однофотонных источников, квантовая криптография, тестирование интегральных микросхем Смесители терагерцового диапазона: диоды с барьером Шотки, смесители на переходе сверхпроводники-изолятор-сверхпроводник, смесители на эффекте электронного разогрева. Применение смесителей терагерцового диапазона: радиоастрономия, зондирование атмосферы, тепловизоры в системах безопасности Эффект Джозефсона и его применение в квантовых интерферометрах (сквидах) для усиления слабых сигналов Квантовые биты (кубиты), их реализация на сверхпроводниках Сверхпроводниковые логические элементы (Rapid Single Flux Quantum — RSFQ): принцип действия, примеры реализаций и применений Сильноточная сверхпроводимость: основные устройства, принципы их работы Высокотемпературная сверхпроводимость: история развития, ВТСП-материалы и ВТСП-материалы нового поколения Применения высокотемпературной сверхпроводимости в электроэнергетике: линии электропередачи, ограничители тока, трансформаторы, моторы, магниты Нанотехнологии (введение: обзор физических основ; приборы и применения: нанотрубки, фуллерены, квантовые точки, одноэлектронные транзисторы) Электронная микроскопия: физические основы, устройство микроскопа, примеры современных микроскопов Атомно-силовая микроскопия: физические основы, устройство микроскопа, примеры современных микроскопов Техника и технология изготовления микросхем (изготовление подложек, методы нанесения слоев, методы литографии и травления) Методы нанесения тонких пленок: термическое испарение, элетронно-лучевое испарение, магнетронное распыление (на постоянном токе, на переменном токе), молекулярно-лучевая эпитаксия Методы структурирования тонких плёнок: фотолитография, импринт-литография, электронная литография, устройство литографов, примеры Полупроводниковые гетероструктуры (изготовление, применение, физика работы) Углеродные нанотрубки (изготовление, свойства, применения) Графен (изготовление, свойства, применения) Оптоволоконная техника: световоды (одномодовые, многомодовые, конструкция), оптоволоконные аттенюаторы (принцип действия, конструкция), делители луча, вращатели плоскости поляризации, зеркала Фарадея Квантовая оптика (введение, основные физические законы) Перепутанные фотонные состояния (парадокс ЭПР, неравенство Белла, квантовая телепортация) Квантовая криптография (физические принципы, реализация, пример протокола, коммерческие реализации) Проблемы, физика и техника современной радиоастрономии; современные космические радиотелескопы. Лекционных часов 66 Корнеев Александр Александрович, к.ф.-м.н. Основы астрофизики Содержание курса Элементы астрометрии. Введение: астрономические корни естествознания. Звездное небо, системы небесных координат, кульминации светил, вид звездного неба на разных широтах, видимое движение Солнца и ярких планет, эклиптика, смена времен года, тепловые пояса Земли, звездное и солнечное времена, атомное время, определение географических координат места наблюдения, сумерки, линия перемены даты, календари. Начала небесной механики. Видимые движения и конфигурации планет, планетные системы Птолемея, Коперника. Эмпирические законы движения планет Кеплера и их связь с законами динамики и гравитации Ньютона, астрономическая единица, определение масс небесных тел, движение Луны, сидерический и драконический месяцы, солнечные и лунные затмения, сарос, приливы, закон Тициуса — Боде — Блэгг, открытие планеты Нептун, прецессия и нутация оси вращения Земли, движение географических полюсов Земли, движение искусственных спутников Земли, межпланетные перелеты, сфера гравитационного действия планеты по отношению к Солнцу. Физика планет. Земля: внутреннее строение, гидросфера, атмосфера, климат и его изменения. Свойства больших планет, астероидов и комет Солнечной системы. Представления об эволюции Солнечной системы. Экзопланеты. Звездная астрофизика. Методы астрофизических исследований: астрофотометрия (формула Погсона), телескопы в различных диапазонах электромагнитного излучения, спектральный анализ — определение химического состава, температуры, скорости вращения, магнитного поля небесных тел (эффекты Зеемана и Фарадея). Солнце: наблюдаемые свойства Солнца (размер, масса, вращение, потемнение диска к краю, температура и светимость в различных диапазонах электромагнитного излучения, фотосфера — грануляция, пятна, факелы, магнитное поле, хромосфера — спикулы, супергранулы, флокуллы, корона — корональные дыры и петли, протуберанцы, солнечный ветер, хронология активной зоны, цикл активности Солнца, солнечно-земные связи). Стандартная модель Солнца — термоядерный источник энергии Солнца, вмороженность магнитного поля в солнечную плазму, нагрев хромосферы и короны, понятие о гидромагнитном механизме генерации магнитного поля, внутреннее строение. Звезды: наблюдаемые свойства звезд — тригонометрические параллаксы, карлики и гиганты (светимости, спектры, массы, размеры, химический состав), диаграмма Герцшпрунга — Ресселла (фазовая диаграмма состояний звезд), спектральные параллаксы, внутреннее строение звезд — гипотеза о гидродинамическом равновесии, оценка температуры, и давления в недрах звезд, термоядерные реакции в звездах, карлики, гиганты, зависимость «период — светимость» для цефеид, механизм пульсаций цефеид, цефеидные параллаксы, модели вырожденных звезд — белых карликов и нейтронных звезд, пульсары, представления об эволюции звезд малых и больших масс, эволюция Солнца, тесные двойные звездные системы, термоядерные взрывы звезд — новые, сверхновые, синтез химических элементов. Физика межзвездной среды. Межзвездная среда в Галактике: поглощение света и покраснение цвета звезд. Наблюдаемые туманности: эмиссионные, темные, планетарные, остатки вспышек сверхновых. Химический состав, строение газо-пылевых комплексов, космические лучи, магнитное поле, определение расстояний по облакам ионизованного водорода. Физика звездных систем. Звездные скопления: классификация — рассеянные и шаровые, численность звезд, размер, оценка расстояний и возрастов (связь возраста с химическим обилием элементов), ассоциации, области звездообразования, представления о механизмах рождения звезд. Галактика: движение Солнца, звездные населения и геометрические составляющие, пространственное распределение звездных скоплений, звезд и межзвездной среды, ядро, спиральная структура. Галактики: классификации по Хабблу, светимости, массы, размеры, вращение, активные ядра, квазары, представления о механизмах образования спиральной структуры галактик, генерации энергии в ядрах. Начала космологии. Наблюдаемая Вселенная: крупномасштабная структура (скопления галактик, сверхскопления), космологическое расширение, закон Хаббла), распространенность химических элементов, фоновые излучения (реликтовое, инфракрасное, рентгеновское, гамма-всплески), представления о горячей модели Вселенной и начальном состоянии Вселенной, антропный принцип. Лекционных часов 14 Лабораторных занятий 3 Розгачева Ирина Кирилловна, к.ф.-м.н. |
Научно-образовательный центр МИФИ-ФИАН «Подготовка научных и научно-педагогических кадров в области оптики, лазерной физики и лазерных технологий» Место нахождения: МИФИ | |
Данные по учреждению РАН: Крохин Олег Николаевич, академик, д.-ф.м.н. Кол-во привлеченных научных сотрудников: 38 (2009 г.), 42 (2010 г.) Кол-во членов РАН (ак., чл.-корр.РАН): 1 ак. Кол-во студентов, проходящих обучение: 7 (2009г.), 12 (2010г.) |
Данные по Вузу-партнеру: Вуз НИЯУ МИФИ Петровский Анатолий Николаевич, д.-ф.м.н. Факультет Т (Экспериментальной и теоретической физики), ВШФ им. Н. Г. Басова МИФИ-ФИАН, Кафедра № 70 (Физика твердого тела и наносистем) Кол-во привлеченных преподавателей: 7 |
Направление подготовки 140301 физика конденсированного состояния вещества 140302 ядерная физика 010501 прикладная информатика и математика Квалификация специалиста: инженер-физик Срок обучения 4-6 курс Правовой статус: Соглашение о сотрудничестве_в подготовке научных кадров между МИФИ и ФИАН № 2-08 от 10.07.2008 г. Перечень лекционных курсов:
|
Научно-образовательный центр «Высокотемпературная сверхпроводимость и наностуктуры» Место нахождения: ФИАН |
|
Данные по учреждению РАН: Ф.И.О руководителя: Пудалов Владимир Моисеевич д.ф.-м.н Кол-во привлеченных научных сотрудников: 54 Кол-во членов РАН (ак., чл.-корр.РАН): 3 Кол-во студентов, проходящих обучение: 16 |
Данные по Вузу-партнеру: Вуз: Московский физико-технический институт (МФТИ) Факультет Общей и прикладной физики (ФОПФ) Кафедры «Проблемы физики и астрофизики» и «Проблемы квантовой физики» Кол-во привлеченных преподавателей: 8 |
Направление подготовки: 010704 Физика конденсированного состояния вещества Квалификация специалиста: инженер-исследователь Срок обучения _3, 4, 5, 6 курс Правовой статус Решение Ученого совета ФИАН, договор МФТИ-ФИАН. Учебные программы по спецкурсам:
http://www.chair.lpi.ru/rus/ http://sites.lebedev.ru/cac/show.php?page_id=1540 |
Научно-образовательный центр «Высшая школа физики» Место нахождения: МИФИ |
|
Данные по учреждению РАН: Ф.И.О руководителя: О. Н. Крохин, д.ф.-м.н., академик Кол-во привлеченных научных сотрудников: 32 Кол-во членов РАН (ак., чл.-корр.РАН): 1 Кол-во студентов, проходящих обучение: 369 |
Данные по Вузу-партнеру: Вуз: МИФИ Кафедра физики плазмы Кафедра физики твердого тела и квантовой радиофизики Кафедра лазерной физики Кафедра сверхпроводимости и физики наноструктур Лаборатория Синхротронное излучение Кол-во привлеченных преподавателей: 57 |
Направление подготовки: 072700 «Физика ядра и частиц», 072600 «Физика конденсированного состояния вещества», Квалификация специалиста: инженер-физик Срок обучения: 3–6 курсы Правовой статус: Приказ Министерства Высшего и Среднего Образования № 716 от 10.09.1971 и Положение о центре от 10.9.1971; утвердил Президент АН СССР М.В.Келдыш Учебные программы по спецкурсам, утвержденные руководством Вуза:
|
Научно-образовательный центр «Учебный центр астрофизики и радиоастрономии (лицензия на подготовку магистров)» Место нахождения: ПущГУ |
|
Данные по учреждению РАН: Ф.И.О руководителя: И. В. Чашей, д.ф.-м.н. Кол-во привлеченных научных сотрудников: 10 Кол-во членов РАН (ак., чл.-корр.РАН): нет Кол-во студентов, проходящих обучение 5 |
Данные по Вузу-партнеру: Вуз: ПущГУ Учебный центр астрофизики и радиоастрономии Кол-во привлеченных преподавателей: 10 |
Направление подготовки Физика Квалификация специалиста: Магистр, специальность: Астрофизика. Физика космических излучений и космоса Срок обучения: 2 года Правовой статус: Лицензия №169542 от 21 октября 2005 г. на осуществление образовательной деятельности; Свидетельство о государственной аккредитации №2184 от 10 января 2006 г. Университет находится в ведении министерства образования и науки РФ. Учебные программы по спецкурсам, утвержденные руководством Вуза:
|